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元件参数资料
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参数目录41164
> FDB5690 MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
型号:
FDB5690
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDB5690 PDF
产品变化通告
Product Discontinuation 03/Dec/2009
标准包装
800
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
32A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
27 毫欧 @ 16A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
33nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1120pF @ 25V
功率 - 最大
58W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
TO-263AB
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDB5690-ND
FDB5690TR
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